Acest site necesită browser-ul să fie activat JavaScript.
Vă rugăm să activați JavaScript și să reîncărcați această pagină.
Site-ul necesită browser-ul pentru a activa cookie-urile pentru a se autentifica.
Vă rugăm să activați cookie-urile și reîncărcați această pagină.
Masataka HigashiwakiGallium Oxide: Materials Properties, Crystal Growth, and Devices, Hardcover
la comenzi de 199 lei
Conform Termeni și condiții
Parteneriat cu producători autorizați
This book provides comprehensive coverage of the new wide-bandgap semiconductor gallium oxide (Ga₂O₃). Ga₂O₃ has been attracting much attention due to its excellent materials properties. It features an extremely large bandgap of greater than 4.5 eV and availability of large-size, high-quality native substrates produced from melt-grown bulk single crystals. Ga₂O₃ is thus a rising star among ultra-wide-bandgap semiconductors and represents a key emerging research field for the worldwide semiconductor community.
Expert chapters cover physical properties, synthesis, and state-of-the-art applications, including materials properties, growth techniques of melt-grown bulk single crystals and epitaxial thin films, and many types of devices. The book is an essential resource for academic and industry readers who have an interest in, or plan to start, a new R&D project related to Ga₂O₃.
Am aprecia părerea ta! Evaluați acest produs
Nu există comentarii de la alți utilizatori.